Nanoelectronic Devices and Integration Laboratory

2018년 11월 23일 인천 송도 컨벤시아에서 열린 대한전자공학회 추계학술대회에서 해동 학생우수논문상 대상(상금 500만원)을 수상하였습니다. 이 상은 대한전자공학회에서 올해 처음으로 제정한 상으로서 해동 학생논문대상, 해동 학생우수논문상, 해동 산학우수논문상 중 가장 큰 상입니다. 

원자 레벨 시뮬레이션을 통해 현대 전자공학의 기반을 이루고 있는 물질인 Si과 같은 족 원소들의 합금으로서 전자 및 정공의 이동도가 매우 높고 동시에 Si에서는 기대하기 어려운 발광 특성도 확보할 수 있는 GeSn의 Sn 함량에 따른 전기적·광학적 특성을 분석하고, 주요 파라미터들을 추출하여 반도체소자 시뮬레이션을 통해 차세대 반도체 소자 설계에 응용하는 심도 있으면서도 폭넓은 연구를 수행하였습니다. 이러한 연구 내용의 우수성을 인정 받아 해동 학생우수논문상 대상을 수상하였습니다.